Offrez un trifluorure d'azote, agent de nettoyage chimique, fluor de gaz laser chimique à haute énergie du fabricant de Chine

Li- (CFX) N Batterie électrochimique
Batterie de manganèse au lithium 3V
Batterie sous-traitant du lithium 3V
Batterie de Lithium Lon polymère
Batterie de stockage d'énergie
- Batterie de stockage d'énergie de mouvement extérieur
Batterie alcaline 1,5 V
Isotopes stables
- Isotope stable B-11
Intermédiaires pharmaceutiques contenant du fluor
- Matériaux biomédicaux perfluorooctane
Matériaux de procédé semi-conducteur
Fonction spéciale Matériaux de fluorure de carbone
Nouveaux matériaux de batterie d'énergie

Chine Matériaux de procédé semi-conducteur du trifluoride d'azote Fournisseurs

Le trifluorure d'azote dans l'industrie de la microélectronique est une sorte d'excellente gravure du gaz plasmatique, qui est craqué en ion fluor actif pendant le processus de gravure du plasma. Pour la gravure plasmatique du silicium et du nitrure de silicium, l'utilisation de trifluoride d'azote a un taux de gravure et une sélectivité plus élevés que l'utilisation de tétrafluorure de carbone ou de tétrafluorure de carbone et de gaz mixte à l'oxygène, en particulier dans le processus de gravure du circuit intégré avec l'épaisseur de moins de 1,5 μm, Le trifluoride d'azote a un excellent taux de gravure et sélectivité, de plus, il n'y a pas de pollution à la surface du matériau gravé, c'est aussi un bon agent de nettoyage.